Паяльник & Отвертка TEAM

JENIK, так блин... те же вилы, только вид с боку))

RAE, а ведь свитость - это способ борьбы с магнитной помехой. т.е. если взять разомкнутые на том конце провода - получится антенна - электрический вибратор, и для нее свитость уже не играет роли. лишь бы не в экране, а если в экране, то не заземленном...

RAE, хм... курс "Антенны и устройства СВЧ", "ЭМС" РТИ:

"Экранирование является одним из самых эффективных методов защиты от электромагнитных излучений. Под экранированием понимается размещение элементов КС, создающих электрические, магнитные и электромагнитные поля, в пространственно замкнутых конструкциях. Способы экранирования зависят от особенностей полей, создаваемых элементами КС при протекании в них электрического тока.

Характеристики полей зависят от параметров электрических сигналов в КС. Так при малых токах и высоких напряжениях в создаваемом поле преобладает электрическая составляющая. Такое поле называется электрическим (электростатическим). Если в проводнике протекает ток большой величины при малых значениях напряжения, то в поле преобладает магнитная составляющая, а поле называется магнитным. Поля, у которых электрическая и магнитная составляющие соизмеримы, называются электромагнитными.

В зависимости от типа создаваемого электромагнитного поля различают следующие виды экранирования:

экранирование электрического поля;

экранирование магнитного поля;

экранирование электромагнитного поля.

Экранирование электрического поля, заземленным металлическим экраном обеспечивает нейтрализацию электрических зарядов, которые стекают по заземляющему контуру. Контур заземления должен иметь сопротивление не более 4 Ом. Электрическое поле может экранироваться и с помощью диэлектрических экранов, имеющих высокую относительную диэлектрическую проницаемость ε. При этом поле ослабляется в ε раз.

При экранировании магнитных полей различают низкочастотные магнитные поля (до 10 кГц) и высокочастотные магнитные поля.

Низкочастотные магнитные поля шунтируются экраном за счет направленности силовых линий вдоль стенок экрана. Этот эффект вызывается большей магнитной проницаемостью материала экрана по сравнению с воздухом.

Высокочастотное магнитное поле вызывает возникновение в экране переменных индукционных вихревых токов, которые создаваемым ими магнитным полем препятствуют распространению побочного магнитного поля. Заземление не влияет на экранирование магнитных полей. Поглощающая способность экрана зависит от частоты побочного излучения и от материала, из которого изготавливается экран. Чем ниже частота излучения, тем большей должна быть толщина экрана. Для излучений в диапазоне средних волн и выше достаточно эффективным является экран толщиной 0,5-1,5 мм. Для излучений на частотах свыше 10 МГц достаточно иметь экран из меди или серебра толщиной 0,1 мм.

Электромагнитные излучения блокируются методами высокочастотного электрического и магнитного экранирования."

применяем принцип взаимности теории антенн - для характеристик антенн не важно, является она передающей или приемной. т.е. применительно к нашему случаю излучающей антенны (витой пары) параметры поля будут такие же как для случая применения её как приемной антенны (см вопросы ЭМС выше).

виток уменьшает площадь между парой проводов, которая ловит/излучает помеху/сигнал из/в эфир - причем тут расстояние (близко/далеко)?

Вопрос:

Мне необходимо собрать лабораторный макет для построения графика, показывающего изменение освещенности в точке при повороте светодиода на определенный угол. Описал, наверно, туманно, но собрать надо.

Принцип работы:

В закрытом непрозрачном ящике находится светодиод, который можно вращать, изменяя направление излучения. На одной из стенок находится фотодиод. Операционный усилитель (ОУ) усиливает фотоЭДС фотодиода до определенного уровня, например 5В, при максимальной освещенности фотодиода. Вращая светодиод и регулируя напряжение резистором R1 находим угол, при котором освещенность фотодиода максимальна.

Затем, вращая только светодиод, изменяем угол излучения светодиода. Т.е. получаем возможность посторить график зависимости освещенности в точке в зависимости от направления светового потока светодиода.

Не ясные для меня вопросы:

1. какой фотодиод использовать? Или может стоит использовать другой тип фотоприемника? Предполагается использовать светодиоды видимого диапазона.

2. тип ОУ?

Не откажусь от критики и советов, спасибо!

visyok:

Почитать тебе надо материалы по фотометрии.....

Если найду у себя ссылки - выложу.

А пока тока три момента:

1. Не уверен, что у фотодиода линейная зависимость освещенность/напряжение (скорее ток)

2. Светодиоды как по излучению, так и фотодиоды по поглощению нелинейны по спектру

3. у тебя меряется относительная величина диаграммы излучения, а абсолютная величина не нужна?

За ссылки буду очень благодарен.

По пунктам:

1. Т.е. увеличение тока пропорционально освещенности?

2. Может использовать световые фильтры для совместимости?

3. Только относительная.

the_ghost, если не лень, подходи к нам на кафедру/лабу - половина того что тебе нужно есть готового, либо проще будет рассказывать/показывать... Сложного ничего нет, но объем в сумме выходит приличный, да еще и с кучей вариантов.

the_ghost, а тебе нужна просто зависимость, в "попугаях" или как?

kir[102],

а тебе нужна просто зависимость, в "попугаях" или как?

Даже попугаев не надо. Просто находим угол, при котором максимальная освещеннность и с помощью R1 устанавливаем стрелку прибора при этом угле излучения на 1 (или на 100% - смотря как проградуировать).

RAE,

что за абсолютная величина ДН?

Имеется в виду, наверно, значение освещенности в точке фотоприемника.

если не лень, подходи к нам на кафедру/лабу

С удовольствием!

JENIK, чисто из любопытства:

1. какое напряжение способна выдержать встроенная звуковая карточка

2. уже готовые программки есть?

the_ghost:

JENIK, чисто из любопытства:

1. какое напряжение способна выдержать встроенная звуковая карточка

2. уже готовые программки есть?

1. напряжение стандартное - или линейный вход, 700mV RMS, или микрофонный 20mV RMS.

2. программки вольтметров есть, но тебе же актуальна зависимость от угла поворота СД, а значит надо лепить какой-то исполнительный механизм поворота, либо лепить датчик поворота, если хочешь автоматизировать процесс.

the_ghost:

...

если не лень, подходи к нам на кафедру/лабу

С удовольствием!

варианта 3:

1. вечером с дома или в другой подходящей обстановке

2. на ФизФаке Университета

3. в лабе НИИ ПФП (ф-л БГУ, Курчатова 7)