nucl3arlion, BY_Pashka,
Тема, которую вы обсуждали не так проста. Распространено очень много заблуждений.
Для начала нужно знать что такое нагрузочные прямые (load line) и как они строятся, что такое угол наклона..
Насколько я понимаю intel приводит load line показывая как будет снижаться напряжение на самом ядре по мере роста потребления. Наклон прямой обычно указывают в мОм. Чем выше это сопротивление тем круче наклон - напряжение будет проседать быстрее.
Насколько я понимаю чтобы компенсировать потери на пути доставки энергии к ядру используется LLC которая оперирует сопротивлением потерь (наклон LL).
Никакое внутреннее сопротивление VRM естественно не изменяется.
Тут еще нужно знать в каких точках снимается напржение для обратной связи VRM: например с сокета, либо с датчика в кристале(в таком случае вообще было бы непонятно наличие VRM), либо обратная связь только в рамках самого VRM(Это мне кажется наиболее вероятным, т.к. чувствительность нужна огромная и пытаться мониторить напряжение в районе сокета с учетом токов порядком сотни ампер - сомнительно).
Так же непонятно причем тут выбросы при снижении потребления к настройке LLC, да они могут быть меньше в случае если корректировка была недостаточной и напряжение было ниже стабилизируемого..